Apesar de todas as dificuldades, os telefones da série Huawei Mate 40 foram lançados conforme programado e estrearam com o Chipset Kirin 9000, o primeiro SoC 5nm 5G do mundo. O Kirin 9000E foi lançado ao mesmo tempo que o Kirin 9000, e é igual à exceção de um número reduzido de núcleos GPU e NPU e a mesma CPU, processador de modem e ISP.
Apesar de todas as dificuldades, os telefones da série Huawei Mate 40 foram lançados conforme programado e estrearam com o Chipset Kirin 9000, o primeiro SoC 5nm 5G do mundo. O Kirin 9000E foi lançado ao mesmo tempo que o Kirin 9000, e é igual à exceção de um número reduzido de núcleos GPU e NPU e a mesma CPU, processador de modem e ISP.
Devido à proibição dos EUA, a TSMC já não pode produzir Chipsets para a Huawei depois de 15 de setembro do ano passado. Portanto, houve muita especulação sobre o Kirin 9000 antes do seu lançamento. Algumas fontes disseram que a quantidade de encomendas do Kirin 9000 era de 15 milhões, mas devido às restrições de tempo e capacidade, cerca de 8,8 milhões de Chipsets foram excluídos da encomenda, o que é mais da metade da quantidade do pedido.
Huawei 3nm Kirin 9010 SoC
As notícias mais recentes revelaram que a Huawei está a trabalhar em um Kirin 9010 SoC de 3nm. O Huawei Kirin 9010 é fabricado num processo TSMC 3nm. De acordo com o progresso actual da TSMC e Samsung, o 3nm mais rápido será apenas visto em 2022.
Huawei 3nm Kirin 9010 SoC " data-medium-file="https://i2.wp.com/androidgeek.pt/wp-content/uploads/2021/01/wp-1609835157536.jpg?fit=300%2C139&ssl=1" data-large-file="https://i2.wp.com/androidgeek.pt/wp-content/uploads/2021/01/wp-1609835157536.jpg?fit=1024%2C474&ssl=1" data-recalc-dims="1" title="Mais evidências de que a Huawei está a trabalhar num Kirin 9010 Soc de 3nm 2">A versão mais recente do Kirin 9010 está a ser desenvolvida num processo 3nm, e é impossível não ficarmos ansiosos pela atualização.
Em comparação com o nó de 5 nm, espera-se que o nó de 3 nm da TSMC melhore o desempenho em 10-15%, reduza o consumo de energia em 25-30% e aumente a densidade em 70%. O nó de processo 3nm continua a usar a arquitetura FinFET, com um aumento de 20% na densidade SRAM e um aumento de 10% na densidade analógica.
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