SK Hynix desenvolveu com sucesso o primeiro Chipset DRAM HBM3 da indústria

A SK Hynix anunciou que eles desenvolveram com sucesso o primeiro Chipset de memoria DRAM HBM3 da indústria. O produto pode ser empacotado próximo a núcleos de CPU e GPU e usa um processo de empilhamento de várias camadas para alcançar densidade de armazenamento e largura de banda muito superior aos tradicionais cartões de memória. A HBM DRAM está agora na sua quarta geração e o HBM3 aumenta ainda mais a capacidade e a largura de banda por Chipset. A Hynix diz que começou a produção em massa da memória HBM2E em julho de 2020, e torna-se uma das primeiras empresas no mundo a produzir em massa esses Chipsets.

Chipset de memória DRAM SK Hynix HBM3

Os Chipsets HBM3 mais recentes têm uma capacidade máxima de 24 GB por Chipset e uma largura de banda máxima de 819 GB / s, um aumento de 78% em relação ao HBM2E, que pode transferir 163 filmes HD de 5 GB de capacidade num segundo. Além disso, o produto também oferece suporte à correção de erros ECC no Chipset para uma confiabilidade significativamente maior.

A memória HBM3 está disponível em versões de 16 GB e 24 GB em pilhas de 8 e 12 camadas com 2 GB por camada. Os Chipsets são então empilhados com tecnologia Chipset TSV para o conjunto final. O Chipset pode ser usado para CPUs de alto desempenho ou placas aceleradoras de computação dedicadas, que podem melhorar significativamente o desempenho de inteligência artificial e operações de aprendizagem de máquina, esta tecnologia pode ajudar a pesquisa científica, desenvolvimento de medicamentos, análise de alterações climáticas, etc.

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