Samsung desenvolve a primeira DRAM DDR5 de 12nm da indústria

Tecnologias inovadoras, como um novo material de alto teor que aumenta a capacidade de células e a tecnologia de design proprietário que melhora as características do circuito crítico, foram utilizadas para tornar o DDR5 DRAM de 16GB uma realidade.

Em colaboração com a Advanced Micro Devices, a Samsung Electronics desenvolveu uma primeira memória de acesso aleatório dinâmico DDR5 (DRAM) (AMD) de primeira classe de 12nm. Este novo DRAM deverá iniciar a produção em massa em 2023, prevendo-se que avance as capacidades das aplicações de computação, centros de dados e inteligência artificial (IA) da próxima geração, devido ao seu desempenho excecional e maior eficiência de energia. O ano de 2023 é definido como a data de início para a produção em massa deste novo DRAM.

A DRAM DDR5 de 12nm da Samsung vai avançar centros de dados e aplicações de inteligência artificial.

Tecnologias inovadoras, como um novo material de alto teor que aumenta a capacidade de células e a tecnologia de design proprietário que melhora as características do circuito crítico, foram utilizadas para tornar o DDR5 DRAM de 16GB uma realidade. Estas duas tecnologias, em particular, contribuíram para o aumento da capacidade de células. A maior densidade da indústria foi conseguida em resultado disso, para além da litografia ultravioleta ultravioleta extrema avançada de várias camadas (EUV), que permitiu alcançar um aumento de 20% na produtividade das wafers.

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Utilizando a versão mais recente da norma DDR5, a DRAM de classe 12nm da Samsung será capaz de atingir velocidades de até 7,2 gigabits por segundo (Gbps). Isto permitir-lhe-á processar dois filmes de alta definição (UHD) que são cada 30 gigabytes (GB) em tamanho em apenas um segundo. O novo DRAM é notável não só pela sua impressionante velocidade, mas também pela eficiência de energia com que funciona. Uma vez que utiliza até 23% menos energia do que as anteriores, é uma excelente escolha para as empresas globais de TI que querem gerir os seus negócios de uma forma mais ambientalmente responsável.

De acordo com Jooyoung Lee, Vice-Presidente Executivo da DRAM Product & Technology da Samsung Electronics, “a nossa DRAM de 12nm de gama será um facilitador chave para impulsionar a adoção em todo o mercado de DDR5 DRAM. Com um desempenho excecional e eficiência energética, esperamos que a nossa nova DRAM sirva de base para operações mais sustentáveis em diversos campos, incluindo computação de próxima geração, centros de dados e sistemas orientados para a IA”, disse a empresa.

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A criação de DDR5 DRAM de classe 12nm foi possível graças à estreita colaboração que ocorreu com o nosso parceiro do setor, a AMD. “Estamos emocionados por mais uma vez colaborar com a Samsung, nomeadamente na introdução de produtos de memória DDR5 que são otimizados e validados nas plataformas ‘Zen'”, disse Joe Macri, VP Sénior, Corporate Fellow e Client, Compute and Graphics CTO na AMD. “Estamos entusiasmados por mais uma vez colaborar com a Samsung, nomeadamente na introdução de produtos de memória DDR5 que são otimizados e validados nas plataformas ‘Zen'”, disse Joe Macri.

Após o lançamento da produção em massa em 2023, a Samsung pretende expandir a disponibilidade da sua linha de produtos DRAM, que é construída na tecnologia de processo de classe de 12nm de ponta, para uma gama diversificada de segmentos de mercado. A empresa está empenhada em continuar a sua colaboração com outras empresas do setor para apoiar a rápida expansão da computação de próxima geração.

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Fonte samsung