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Samsung inicia a produção em massa do primeiro chip eUFS 3.0 de 512 GB

Alguém poderá argumentar que o momento é até, o mais importante para toda a indústria móvel. Esstamos a falar do primeiro armazenamento eUFS 3.

Pouco tempo depois do anúncio do novo Samsung Galaxy S10, a empresa está a avançar com outro grande anúncio. Alguém poderá argumentar que o momento é até, o mais importante para toda a indústria móvel. Esstamos a falar do primeiro armazenamento eUFS 3.0 de 512 GB que oferece grandes ganhos de desempenho em relação à geração anterior.

Samsung inicia a produção em massa do primeiro chip eUFS 3.0 de 512 GB 1

Os novos Chipsets 512GB eUFS 3.0 já estão em produção em massa e superam os chipsets eUFS 2.1 no dobro. O vice-presidente executivo de Vendas e Marketing de Memória da Samsung Electronics foi ainda mais longe e disse que o novo padrão finalmente alcança os actuais laptops ultrafinos em termos de desempenho de armazenamento.

A memória de 512GB eUFS 3.0 acumula oito dos 512-gigabit V-NAND de 5ª geração enquanto aproveita o novo controlador de alto desempenho. Ele pode atingir velocidades de leitura de até 2.100 MB / s, o que é duas vezes mais rápido do que os actuais chipsets eUFS 2.1. De facto, a velocidade de leitura é cerca de quatro vezes mais rápida do que os SSDs convencionais executados na interface SATA. As velocidades de gravação devem estar à volta de 410 MB / s – no mesmo patamar dos SSDs SATA.

Samsung inicia a produção em massa do primeiro chip eUFS 3.0 de 512 GB 2

As IOPS também viram alguns ganhos – 63.000 IOPS de leitura aleatória e 68.000 IOPS de gravação aleatória. Para comparação, isso é cerca de 630 vezes mais rápido que os cartões microSD.

Além dos chipsets de 512GB, a Samsung agora está a produzir chipsets de 128GB e tem planos de começar a fabricar em 256GB e 1TB em qualquer momento no segundo semestre deste ano.

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