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Snapdragon 670 será chip de 10nm com 3ª geração Kryo

O Snapdragon 660 ainda está a começar a chegar ao mercado através de alguns equipamentos, e já há rumores de um novo chipset da Qualcomm. Chama-se Snapdragon 670, este chipset alegadamente irá chegar em 2018, e será o primeiro da gama média a ser fabricado em processo 10nm.

Snapdragon 670 será chip de 10nm com 3ª geração Kryo 1

O mais interesante desta noticia é que o chipset em questão teria alegadamente, um CPU Octa-Core Kryo – com 2 potentes núcleos Kryo 360 e 6 núcleos de baixo consumo. De notar que o Kryo 360 será a 3ª geração de núcelos, enquanto que o Snapdragon 835 e 660 ainda usam a 2ª geração de núcelos, embora divididos em 4 + 4 em potência e eficiência energética.

Snapdragon 670 será chip de 10nm com 3ª geração Kryo 2

Este novo processador vai usar a tecnologia ARM’S DynamIQ, que estão nos Cortex-A75 e A55. Isto é o sucessor aos big.LITTLE e são muito mais flexíveis. Tal como a GPU que assim salta para a próxima geração Adreno, a série 6 enquanto que os actuais Snapdragon usam a série 5 Adreno.

Snapdragon 670 será chip de 10nm com 3ª geração Kryo 3

Parece que este Snapdragon 670 irá ser construído pela Samsung, com base na sua tecnologia de 10nm LPP, uma evolução do processo 10 LPE usado no actuais chipsets Snapdragon 835 e no Exynos 8895. As siglas LPE e LPP são Low Power Early e Plus respectivamente.

Snapdragon 670 será chip de 10nm com 3ª geração Kryo 4

Os chipsets móveis evoluem a uma enorme rapidez, são cada vez mais eficientes e rápidos aliados a poderosos processamentos gráficos. Basta ver de ano para ano a evolução dos chipsets flagships, e que agora ultimamente tem sido aplicada muita das suas tecnologias em chipsets de gamas inferiores. Tornando assim cada vez melhores os equipamentos mais baratos, que assim ganham um maior poder de processamento, em uma parceria de cada vez mais bonitos equipamentos de gamas inferiores, e nada fraquinhos em poder de fogo.

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