A Samsung é um dos maiores intervenientes na área de semicondutores e, portanto, o caminho que traça é bastante importante para a indústria. A empresa está em vias de oferecer um processo de 4nm para dispositivos inteligentes e um novo tipo de processo de 18nm para dispositivos IoT.
Durante o Samsung Foundry Forum 2017, a Samsung anunciou que o processo de 8nm LPP (Low Power Plus) oferecerá a solução mais competitiva antes da transição para o processo EUV (Extreme Ultra Violet). O processo de 7nm será o primeiro com solução de litografia EUV – já foi desenvolvido em colaboração com a empresa holandesa ASML. A implantação do processo de 7nm será enorme para os fabricantes de semicondutores, porque quebrará as barreiras da lei de Moore. Esta inovação pavimentará o caminho para 6LPP, 5LPP e 4LPP.
Kinam Kim, Presidente do Semiconductor Business 4LPP da Samsung ElectronicsKinam Kim, Presidente do Semiconductor Business 4LPP da Samsung Electronics, afirma que esta vai ser a primeira implementação da arquitetura de dispositivos de nova geração – MBCFET (FET de Canal Multi-Bridge). Ele superará as escalas físicas e as limitações de desempenho da estrutura FinFET atual. A Samsung também anunciou que iria desenvolver a tecnologia de processo 18nm FD-SOI que irá alimentar dispositivos IoT. Será uma melhoria sobre o processo de 28 nm FDS com melhor eficiência de energia, área e desempenho.
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