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Samsung promete memória UFS 3.0 no próximo ano e LPDDR5 em 2020

Durante o evento 4G / 5G realizado pela Qualcomm em Hong Kong, a Samsung anunciou algumas novidades relacionadas às memórias, que terão que se adaptar à maior velocidade da rede. Ela começará em 2019 quando a primeira memória do tipo UFS 3.

Durante o evento 4G / 5G realizado pela Qualcomm em Hong Kong, a Samsung anunciou algumas novidades relacionadas às memórias, que terão que se adaptar à maior velocidade da rede. Ela começará em 2019 quando a primeira memória do tipo UFS 3.0 estará disponível, nos tamanhos 128, 256 e 512 GB.

Em vez disso, devemos esperar pelo menos 2021 para as primeiras soluções com 1 TB de memória UFS 3.0, embora seja possível fazer smartphones com dois módulos de 512 GB, para chegar a 1 TB de memória interna. A Samsung pretende aproveitar a evolução da tecnologia 3D NAND para aumentar a densidade de armazenamento, sem aumentar o tamanho dos módulos de memória.

Samsung promete memória UFS 3.0 no próximo ano e LPDDR5 em 2020 1

O padrão UFS 3.0 não só aumentará o tamanho da memória interna, mas também duplicará a banda, aproveitando ao máximo a velocidade do armazenamento de dados.

Juntamente com as memórias internas vai mudar o tipo de RAM, com a implantação da tecnologia LPDDR5, para o qual teremos que esperar até 2020. A Samsung vai começar a produção em massa num par de anos, portanto, e promete uma banda entre 44 e 51 GB / s, com uma redução de 20% no consumo.

Samsung promete memória UFS 3.0 no próximo ano e LPDDR5 em 2020 2

O próximo ano de 2019 vai ser rico em inovações tecnológicas relacionadas às redes 5G, que aparentemente levará a uma grande evolução também em outros componentes dos smartphones.

 

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