A Samsung tem sido a principal fabricante de memórias há anos e hoje a empresa anunciou que está a iniciar a produção de chips de memória V-NAND de próxima geração. Esta é a quinta iteração da tecnologia e a principal característica destes chips é a adoção da interface NAND “Toggle DDR 4.0”.
Esta interface NAND “Toggle DDR 4.0” permite velocidades de transferência 40% mais rápidas entre o armazenamento e a RAM em comparação com o seu antecessor, atingindo um pico de 1,4 Gbps. Mas a somar ao melhor desempenho, a nova memória também oferece melhor eficiência de energia – 1,8 volts até 1,2 volts.
Os chips V-NAND de 5ª geração são construídos de forma semelhante aos anteriores e, em vez de incorporar 64 camadas, são fornecidos com 90 camadas de células de captura de carga 3D (CTF). Eles estão empilhados numa estrutura de pirâmide com buracos microscópicos no meio. Esses buracos servem como canais e têm apenas algumas centenas de nanômetros de largura, contendo mais de 85 mil milhões de células CTF, cada uma armazenando até três bits de dados.
Isso levou a uma melhoria significativa na velocidade de gravação – cerca de 30% mais rápida que a do antecessor. O tempo de resposta para ler sinais também foi reduzido para 50μs. Os novos chips de 256GB de alto desempenho provavelmente encontrarão o seu caminho para vários dispositivos Samsung, incluindo smartphones de ponta. Galaxy S10, és tu?
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