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IBM fabrica chips de 5nm, que prometem 2 a 3 vezes melhor eficiência energética

A IBM anunciou que alcançou um grande avanço no desenvolvimento do  processo para a construção de transístor de nanoesferas de silício que permitiria o fabrico de chips de 5nm. O processo que em primeiro lugar foi desenvolvido em colaboração com os seus parceiros de alianças de pesquisa, Global Foundries e Samsung. Embora os detalhes do processo usado no fabrico ainda não tenham sido revelados, não demorará muito para que possamos descobrir isso. A IBM apresentará o processo na conferência Symposia on VLSI Technology and Circuits 2017  que se realiza em Kyoto, Japão.

Quando o processo de fabrico de nós de 7nm capaz de alojar 20.000 milhões de condensadores foi desenvolvido há menos que dois anos, foi considerado um processo revolucionário. No entanto ainda não conseguimos ver um processador construído no processo 7nm, e agora temos um chip de 5nm que permitiria ainda mais transístores (até 30 mil milhões) numa “bolacha” de silício. O novo chip é apenas do tamanho de uma unha. Quando comparado aos componentes de 10nm que é usado na tecnologia de ponta atualmente disponível no mercado, a tecnologia de 5nm é capaz de oferecer aperfeiçoamentos de desempenho de 40 por cento com energia fixa, ou 75 por cento de economia de energia no desempenho correspondente.

IBM fabrica chips de 5nm, que prometem 2 a 3 vezes melhor eficiência energética 1

Mais transístores se traduzirão num aumento no desempenho que ajudaria a acelerar a computação cognitiva, a Internet das coisas, a realidade virtual, os sistemas de AI e outras aplicações intensivas em dados fornecidos na nuvem. Os chips também poderão gerir a energia duas a três vezes mais eficientemente. Esta propriedade de poupança de energia significa que as baterias dos smartphones e as de outros produtos móveis podem durar duas a três vezes mais do que os modelos disponíveis atualmente no mercado.

A equipa de pesquisa alcançou o avanço usando pilhas de nano-folhas de silício como a estrutura do dispositivo do transístor, em vez da arquitetura padrão do FinFET, que é o modelo para a indústria de semicondutores através da tecnologia de nó de 7nm. Não se sabe quando este avanço tecnológico atingirá o ponto em que pode ser comercializado, pois só foi mostrado para demonstrar que é possível o seu uso.

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