Futuros chips da Qualcomm podem ser feitos pela Samsung

No entanto, a Qualcomm poderia voltar à Samsung no futuro. Don Maguire, VP Sénior e CMO da Qualcomm, revelou os planos da empresa enquanto falava com jornalistas.

No entanto, a Qualcomm poderia voltar à Samsung no futuro. Don Maguire, VP Sénior e CMO da Qualcomm, revelou os planos da empresa enquanto falava com jornalistas.

O Snapdragon 888 e o Snapdragon 8 Gen 1 foram feitos pela Samsung Foundry. Ambos os chips enfrentaram sobreaquecimento e problemas de estrangulamento de desempenho, razão pela qual a Qualcomm premiou a produção do Snapdragon 8+ Gen 1 e do Snapdragon 8 Gen 2 à TSMC. No entanto, a Qualcomm poderia voltar à Samsung no futuro.

Don Maguire, VP Sénior e CMO da Qualcomm, revelou os planos da empresa enquanto falava com jornalistas. Ele revelou que a Qualcomm está “a manter uma relação de cooperação com a Samsung” e que a empresa poderia voltar a trabalhar com a empresa sul-coreana para chips semicondutores de 3nm e 2nm. (via TheElec).

Quando os repórteres perguntaram se a Qualcomm utilizaria uma estratégia de fundição dupla, Don Maguire disse: “A Qualcomm é demasiado grande para ir com uma única fundição. A estratégia de fundição múltipla é muito mais fácil em termos de fornecimento, mas é também vantajosa em termos de competitividade de preços e escala. Em particular, uma estratégia de fundição múltipla é mais apropriada para expandir para outras áreas de negócio que não os smartphones”.

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Diz-se que a Qualcomm escolheu a TSMC como seu principal parceiro para os seus chips de 3nm, mas alguns deles poderiam também ser fabricados pela Samsung Foundry, especialmente se a empresa não enfrentar problemas de rendimento e desempenho. A Samsung está a planear iniciar a produção em massa de chips de 2nm até 2025.

Ao contrário dos seus nós de geração anterior, a Samsung Foundry implementou a tecnologia GAA para o seu nó de processo de 3nm, e espera-se que traga ganhos significativos em termos de eficiência energética. A TSMC está actualmente a utilizar a estrutura FinFET para os seus chips de 4nm e 3nm e espera-se que traga a tecnologia GAA com o seu nó de 2nm.

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