Samsung Galaxy S8 com memória [RAM] de elefante!

Aos olhos de muitos o Galaxy S8 é a grande hipótese de redenção da Samsung depois do triste fado do Galaxy Note 7. Espera-se que o futuro topo de gama da empresa venha carregado de inovação e especificações fenomenais de modo a reconquistar a confiança dos consumidores. Nem de propósito, hoje surgiu o rumor de que o Galaxy S8 (e S8 Plus) poderá vir com 8 GB de memória RAM e armazenamento flash UFS 2.1.

A informação foi avançada sob a forma de um post na rede social Weibo pelo Ice Universe, um conhecido leakster do universo Samsung. A confirmar-se este rumor, o Galaxy S8 terá o dobro da memória RAM do seu antecessor, o Galaxy S7, enquanto que leaks anteriores apontavam para 6 GB de RAM.

Neste post, é também revelado que o equipamento virá com um SoC caseiro e exclusivo da Samsung (Exynos?) fabricado num processo de 10 nm. Esta tecnologia oferece melhor eficiencia energética e performance superior à dos componentes usados atualmente.

Samsung Galaxy S8

Segundo a mesma fonte, o próximo flaship da Samsung vai ainda contar com um novo e mais rápido chip de armazenamento interno flash UFS 2.1

Em jeito de resumo dos rumores até à data, esperam-se duas variantes do equipamento: o Galaxy S8 com ecrã Super AMOLED 5.1″ e o Galaxy S8 Plus com ecrã Super AMOLED de 6″, ambos com display Edge. Provavelmente vamos ter os equipamentos comercializados na China e nos EUA com processador Snapdragon 835, enquanto que nas restantes regiões o Galaxy S8 vai ter CPU Exynos 8895. Bluetooth 5.0, Android Nougat e a Samsung Experience UI são algumas das caracteristicas que vão estar presentes nos aparelhos.

Quanto ao lançamento, preve-se que ocorra em Abril de 2017 num evento exclusivo da fabricante sul coreana (e não no MWC em Fevereiro), fugindo um pouco à tradição dos ultimos anos.