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Samsung quer expandir o seu negócio de Chipsets de memória na China

De acordo com relatos da imprensa coreana, a fim de encontrar uma nova estratégia no mercado de Chipsets de memória, Lee Jae Yong (Li Zaiyu), vice-presidente da Samsung Electronics, passou o ano de 2019 na China.

A gigante sul-coreana Samsung, é líder no segmento de Chipsets de memória. De acordo com relatos da imprensa coreana, a fim de encontrar uma nova estratégia no mercado de Chipsets de memória, Lee Jae Yong (Li Zaiyu), vice-presidente da Samsung Electronics, passou o ano de 2019 na China. De acordo com as informações, Li Zaiyu saiu de Seul na segunda-feira, um dia antes do Ano Novo Chinês, e foi para Xi’an, na China, visitar a fábrica de Chipsets de memória da Samsung na cidade.

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Desde 2014, a Samsung opera uma fábrica de memória flash NAND em Xi’an. A partir do ano passado, a Samsung começou a construir uma segunda fábrica em Xi’an, com um investimento planeado de US $ 7 mil milhões. De acordo com um executivo da Samsung, “Li Zaiyu planeia visitar a base de produção de memória da China e manter conversações com alguns funcionários do governo”.

A visita de Li Zaiyu a Xi’an atraiu muita atenção porque ele havia conversado com o presidente da Coreia do Sul, Wen Zaiyi, sobre a estratégia de Chipsets da Samsung no mês passado. Recentemente, devido ao contínuo declínio nos preços dos Chipsets, a indústria tem levantado preocupações sobre o mercado de Chipsets. De acordo com a DRAMeXChange, uma observadora do mercado, o preço dos Chipsets 8G DDR4 DRAM caiu 17,24% em janeiro em relação ao mês anterior, a maior queda desde junho de 2016.

 

O negócio de memórias de armazenamento da Samsung é uma dos seus produtos de maior sucesso e geralmente estão um passo à frente da concorrência no setor. A memória flash de 1TB eUFS 2.1 é um desses produtos nos quais a Samsung tem pouco ou nenhum rival. No tamanho original de 11,5 × 13mm, o V-NAND de 512Gb com 16 camadas é usado para criar uma memória flash de 1TB, e tem um novo controlo de flash integrado lá dentro. Pode conseguir mais espaço de armazenamento em smartphones com espaço fisico muito limitado.

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No futuro, o espaço de armazenamento no vosso smartphone pode ser maior do que no vosso SSD no portatil ou Desktop (mas não terá a velocidade do vosso SSD). É relatado que o Samsung Galaxy S10, que será lançado no final de fevereiro, tem uma versão de 1TB . Este será o primeiro telemóvel a ser equipado com esta memória flash!

Samsung Galaxy S10 com memória flash de 1TB eUFS 2.1

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A Samsung também melhorou o desempenho de leitura e gravação na memória flash de 1TB eUFS 2.1. Agora tem uma velocidade de leitura de 1000MB / s, uma velocidade de gravação de 260MB / s, uma velocidade de leitura aleatória de 58000 IOPS e uma gravação aleatória de 50000 IOPS. A imagem abaixo mostra uma comparação dos parâmetros de partículas flash da Samsung:

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A Samsung disse que a produção em massa da sua memória flash de 1TB eUFS visa proporcionar uma experiência de desempenho de leitura / gravação mais próxima da dos notebooks comuns. A Samsung planeia expandir a sua capacidade de 512 Gb V-NAND de quinta geração na fábrica de Pyeongtaek na Coreia do Sul no primeiro semestre de 2019 para atender à procura por 1 TB eUFS 2.1 flash. Afinal, a capacidade actual dos smartphones está a ficar maior, e a fotografia com Smartphone tornou-se o mainstream. É preciso armazena-las em algum lugar.
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Muitos utilizadores de telefone têm milhares de fotos nos seus smartphones, o que pode ocupar muito espaço. Os vídeos também ocupam muito mais espaço. Com toda a honestidade, um smartphone de 64GB agora parece menos aceitável para muitos utilizadores de smartphones. À medida que ansiamos por recursos de câmera mais avançados, também aumenta o tamanho de uma única imagem, o que significa que a necessidade de mais espaço de armazenamento será inevitável.

O uso de um cartão de memória externo não é uma opção viável porque tem uma velocidade de transmissão lenta e não é totalmente seguro.

 

 

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