A Samsung Electronics acaba de consolidar a sua posição na vanguarda do mercado de semicondutores ao anunciar o início da produção em massa e o envio das primeiras unidades da memória HBM4 aos seus clientes. Este avanço tecnológico é crucial para o desenvolvimento da próxima geração de aceleradores de Inteligência Artificial, onde a largura de banda e a eficiência energética são os principais estrangulamentos. Ao adotar processos de fabrico mais avançados antes da concorrência, a gigante sul-coreana procura satisfazer a procura explosiva de centros de dados e modelos de linguagem de grande escala.
A nova memória HBM4 da Samsung é fabricada recorrendo à 6.ª geração do processo DRAM de classe 10nm, designado por “1c”. Além disso, estes chips utilizam uma base lógica produzida em 4nm, o que permite alcançar níveis de performance significativamente superiores aos padrões atuais da indústria. Segundo Sang Joon Hwang, Vice-Presidente Executivo da Samsung, a empresa optou por saltar os designs convencionais e adotar os nós mais avançados para garantir uma margem de manobra no desempenho que acompanhe as exigências crescentes do mercado.
Neste artigo vão encontrar:
Performance que redefine os padrões do mercado
Os números associados a esta nova geração de memória são impressionantes. Enquanto o padrão da indústria para a HBM4 estava definido nos 8Gbps, a solução da Samsung consegue entregar velocidades de 11.7Gbps por pino. Considerando que estas memórias possuem 2.048 pinos o dobro da geração anterior HBM3E , a largura de banda total atinge uns massivos 3,3 terabytes por segundo. Este valor representa um salto de 2,7 vezes no desempenho face ao que era possível com a tecnologia HBM3E.
A Samsung já indicou que este é apenas o ponto de partida, afirmando ter capacidade para construir chips capazes de atingir os 13Gbps por pino no futuro. Atualmente, a memória HBM4 da marca utiliza uma tecnologia de empilhamento de 12 camadas, oferecendo capacidades que variam entre os 24GB e os 36GB. No entanto, a empresa já se mostrou disponível para adaptar o design às necessidades dos clientes, podendo introduzir variantes de 16 camadas com uma capacidade total de até 48GB.
Eficiência energética e gestão térmica superior
Um dos maiores desafios no desenvolvimento de memórias de alta performance é o calor gerado e o consumo de energia. Para mitigar estes problemas, a Samsung utilizou redes de distribuição de energia e vias de silício (TSV) de baixa voltagem, o que resultou numa melhoria de 40% na eficiência energética. Estas inovações são vitais para centros de dados que operam milhares de unidades em simultâneo e onde o custo energético é um fator crítico.
No departamento térmico, a pilha de memória HBM4 apresenta uma resistência ao calor 10% inferior e uma capacidade de dissipação 30% melhor do que a geração HBM3E. Este melhor controlo térmico permite que os processadores de IA mantenham picos de performance durante mais tempo sem necessidade de reduzir as frequências de relógio devido ao sobreaquecimento.
O futuro: HBM4E e memórias personalizadas
A Samsung não tenciona abrandar o ritmo de inovação. A empresa já traçou o roteiro para os próximos meses, prevendo o envio de amostras da evolução HBM4E para os clientes na segunda metade de 2026. Além disso, a partir do próximo ano, a marca começará a distribuir amostras de memórias HBM personalizadas, desenhadas especificamente segundo as especificações técnicas fornecidas por cada cliente, permitindo uma integração ainda mais profunda com os processadores de IA de marcas como a NVIDIA ou a AMD.
As perspetivas de negócio são extremamente otimistas. A Samsung prevê que as vendas de produtos de memória tripliquem em 2026 face aos resultados de 2025. Para responder a este cenário, a empresa está já a trabalhar na expansão da sua capacidade de produção de HBM4, garantindo que consegue suprir as necessidades de um mercado que parece não ter teto no que toca ao processamento de dados e inteligência artificial.
Conclusão
A chegada da memória HBM4 ao mercado marca um ponto de viragem na infraestrutura tecnológica que sustenta a revolução da inteligência artificial. Com velocidades que superam largamente os padrões definidos pelo JEDEC e uma arquitetura focada na eficiência térmica, a Samsung posiciona-se como o parceiro indispensável para as empresas que estão a construir o futuro da computação. Se 2025 foi o ano da afirmação da IA generativa, 2026 será claramente o ano em que o hardware, liderado por inovações como a HBM4, permitirá levar estas ferramentas a um novo nível de complexidade e rapidez.
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