LPDDR4X baseado em nó 1α l micron chega aos smartphones económicos

A Micron Technology anunciou recentemente que começou a trabalhar o primeiro nó 1α (1-alfa) de memória DRAM de baixa potência (LPDRAM). Começando com o LPDDR4X, a tecnologia de processo reduzirá ainda mais o consumo de energia de toda a família de produtos LPDRAM móveis.

1α Node Based LPDDR4X é 20% mais eficiente

O LPDDR4X para smartphones económicos e gama média está atualmente em produção de em massa na fundição de DRAM da Micron em Taiwan. Com foco na vida útil da bateria, a Micron diz que o 1α LPDDR4X é 20% mais eficiente em termos de energia do que a geração anterior de LPDRAMs baseados em nó 1z em aplicações com uso intensivo de memória, como vídeo e fotografia.

Como a DRAM é responsável por aproximadamente 10% do uso total de energia do sistema, os consumidores podem ganhar uma hora de vida útil da bateria num período de uso de três dias. A nova memória da Micron está disponível em capacidades que variam de 2 GB a 8 GB para ser usada em equipamentos de orçamento e smartphones de gama média.

Como o processo 1α da Micron melhora a eficiência energética?

Normalmente, os nós de fabrico de DRAM de próxima geração podem economizar em média 10 por cento no consumo de energia, e a DRAM 1α tem um desempenho energético muito superior à média. Como outros produtos semicondutores, a DRAM requer um processo de litografia muito fino para, remover e gravar o material no Chipset, e o processo actual da Micron é mais eficiente do que a geração anterior de nós de fabrico 1z.

A tecnologia de processo 1α da Micron aumenta a densidade da memória em 40% enquanto reduz o consumo de energia. Cerca de metade da melhoria de desempenho foi alcançada pela melhoria de design da DRAM, bem como os materiais e equipamentos.

A Micron aponta que a Lenovo será o primeiro fabricante de Smartphones a aplicar a 1α LPDDR4X da Micron, demonstrando a qualidade e maturidade dos produtos DRAM 1α de baixa potência da Micron.

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