Descubra as Novidades Revolucionárias da Samsung em Inteligência Artificial – Tech Day 2023

LONDON, UK - FEBRUARY 20, 2020: Samsung tech brand leterring logo in Harrods shopping mall.

A Samsung Electronics realizou o Memory Tech Day, apresentando inovações e produtos para soluções de memória de próxima geração. Destaques incluem HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 e Detachable AutoSSD.

Evento destaca soluções de memória de próxima geração para aplicações como nuvem, dispositivos de borda e veículos automóveis

A Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia de memória avançada, realizou hoje o seu evento anual Memory Tech Day, destacando inovações pioneiras na indústria e novos produtos de memória para acelerar os avanços tecnológicos nas aplicações futuras, incluindo nuvem, dispositivos de borda e veículos automóveis.

Com a presença de cerca de 600 clientes, parceiros e especialistas do setor, o evento serviu como plataforma para executivos da Samsung expandirem sobre a visão da empresa de “Memory Reimagined”, abordando planos de longo prazo para continuar sua liderança em tecnologia de memória, perspectivas sobre as tendências do mercado e metas de sustentabilidade. A empresa também apresentou novas inovações de produtos, como o HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 e Detachable AutoSSD.

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Jung-Bae Lee, presidente e chefe dos negócios de memória da Samsung Electronics, usou seu discurso principal para explicar como a Samsung superará os desafios da era hiperscale por meio de inovações em novas estruturas e materiais de transistores. Por exemplo, a Samsung está atualmente preparando novas estruturas 3D para DRAM sub-10 nanômetros (nm), permitindo maiores capacidades de chip único que podem exceder 100 gigabits (Gb). Após a produção em massa da DRAM de classe 12 nm em maio de 2023, a Samsung está trabalhando na sua DRAM de classe 11 nm de próxima geração, que terá a maior densidade do setor.

Inovações em flash NAND que reduzirão o tamanho das células e refinarão as técnicas de gravação de canais também estão em desenvolvimento, com o objetivo de introduzir o V-NAND vertical de 1.000 camadas. O desenvolvimento está em andamento para que a nona geração de V-NAND da Samsung forneça a contagem de camadas mais alta do setor com base em uma estrutura de duplo empilhamento. A empresa já garantiu um chip funcional para o novo V-NAND e planeja iniciar a produção em massa no início do próximo ano.

“A nova era da IA hyperscale levou a indústria a uma encruzilhada onde inovação e oportunidade se intersectam, apresentando um momento com potencial para grandes avanços, apesar dos desafios”, disse Lee. “Através de imaginação sem limites e perseverança incansável, continuaremos nossa liderança no mercado impulsionando a inovação e colaborando com clientes e parceiros para fornecer soluções que expandam possibilidades.”

Apresentando a HBM3E ‘Shinebolt’

Os sistemas de nuvem atuais estão evoluindo para otimizar os recursos de processamento, que requerem memória de alto desempenho para lidar com alta capacidade, largura de banda e capacidades de armazenamento virtual. Com base na experiência da Samsung em comercializar a primeira HBM2 da indústria e abrir o mercado de HBM para computação de alto desempenho (HPC) em 2016, a empresa revelou hoje sua próxima geração de DRAM HBM3E, chamada Shinebolt.

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O Shinebolt da Samsung impulsionará as aplicações de IA de próxima geração, melhorando o custo total de propriedade (TCO) e acelerando o treinamento e inferência de modelos de IA no data center. O HBM3E possui uma incrível velocidade de 9,8 gigabits por segundo (Gbps) por pino, o que significa que pode atingir taxas de transferência superiores a mais de 1,2 terabytes por segundo (TBps).

Para possibilitar pilhas de camadas superiores e melhorar as características térmicas, a Samsung otimizou sua tecnologia de filme não condutivo (NCF) para eliminar espaços entre as camadas de chips e maximizar a condutividade térmica.

Os produtos 8H e 12H HBM3 da Samsung estão atualmente em produção em massa e as amostras do Shinebolt já estão sendo enviadas aos clientes. Aproveitando sua expertise como fornecedora de soluções de semicondutores integradas, a empresa também planeja oferecer um serviço completo personalizado que combina HBM de próxima geração, tecnologias avançadas de empacotamento e ofertas de fundição.

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Outros produtos destacados no evento incluem a DDR5 DRAM de 32Gb com a maior capacidade da indústria, a GDDR7 de 32Gbps, a primeira da indústria, e a PBSSD em escala petabyte, que oferece um grande aumento nas capacidades de armazenamento para aplicações de servidores.

Redefinindo dispositivos de ponta através de fatores de forma poderosos

Para processar tarefas intensivas em dados, as tecnologias de IA atuais estão evoluindo para um modelo híbrido que aloca e distribui a carga de trabalho entre nuvem e dispositivos de borda. Nesse sentido, a Samsung introduziu uma série de soluções de memória que suportam alta performance, alta capacidade, baixo consumo de energia e fatores de forma reduzidos no dispositivo de borda.

Além do revolucionário LPDDR5X CAMM21 de 7,5Gbps, que se espera ser um verdadeiro divisor de águas no mercado de DRAM de próxima geração para PCs e laptops, a empresa também apresentou sua LPDDR5X DRAM de 9,6Gbps, DRAM LLW2 especializada em IA no dispositivo, Universal Flash Storage (UFS) de próxima geração e o BM9C1 SSD de célula de quatro níveis com alta capacidade para PCs.

Criando a estrada para o futuro

Com os avanços das soluções de condução autônoma, a procura de mercado também está aumentando por DRAM de alta largura de banda e alta capacidade e Shared SSDs, que compartilham dados com múltiplos sistemas em chips (SoCs). A Samsung apresentou seu Detachable AutoSSD que permite o acesso aos dados a partir de um único SSD para vários SoCs por meio de armazenamento virtual.

O Detachable AutoSSD oferece velocidade de leitura sequencial de até 6.500 megabytes por segundo (MBps) com capacidade de 4TB. Por ser em formato destacável, o SSD facilita as atualizações e ajustes para utilizadores e fabricantes de veículos. A Samsung também exibiu soluções de memória automotiva, como GDDR7 de alta largura de banda e LPDDR5X com tamanhos de pacotes mais compactos.

Tecnologia que Torna a Tecnologia Sustentável

Como parte do compromisso da empresa em minimizar o impacto ambiental, a Samsung destacou uma variedade de inovações em suas operações de semicondutores que contribuirão para aumentar a eficiência energética para clientes e consumidores.

A empresa planeja garantir tecnologias de memória de baixo consumo ultra-eficientes que podem reduzir o consumo de energia em data centers, PCs e dispositivos móveis, ao mesmo tempo em que utiliza materiais reciclados nos produtos portáteis SSD para reduzir sua pegada de carbono. As soluções de próxima geração da Samsung, como o PBSSD, também ajudarão a reduzir o consumo de energia dos sistemas de servidores, maximizando a eficiência de espaço e capacidade de prateleira.

Ao colaborar com os diversos participantes da cadeia de valor de semicondutores, incluindo clientes e parceiros, o negócio de semicondutores da Samsung continuará desempenhando um papel ativo na resolução de questões climáticas globais por meio de sua iniciativa de sustentabilidade, “tecnologia que torna a tecnologia sustentável”.

Fonte

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